Ampleon USA Inc. - BLF8G20LS-160VJ

KEY Part #: K6465766

BLF8G20LS-160VJ ფასები (აშშ დოლარი) [1530ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$38.20123
  • 100 pcs$38.01117

Ნაწილი ნომერი:
BLF8G20LS-160VJ
მწარმოებელი:
Ampleon USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLF8G20LS-160VJ electronic components. BLF8G20LS-160VJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLF8G20LS-160VJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLF8G20LS-160VJ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BLF8G20LS-160VJ
მწარმოებელი : Ampleon USA Inc.
აღწერა : RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS
სიხშირე : 1.81GHz ~ 1.88GHz
მოიპოვე : 20dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 800mA
Ძალის გამოსავალი : 35.5W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : SOT-1239B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : CDFM6
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

  • AFT27S006NT1

    NXP USA Inc.

    FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.