ON Semiconductor - FDP4D5N10C

KEY Part #: K6394518

FDP4D5N10C ფასები (აშშ დოლარი) [25909ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.59065

Ნაწილი ნომერი:
FDP4D5N10C
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
FET ENGR DEV-NOT REL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDP4D5N10C electronic components. FDP4D5N10C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP4D5N10C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP4D5N10C პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDP4D5N10C
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : FET ENGR DEV-NOT REL
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 128A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 310µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5065pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.4W (Ta), 150W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ