GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

Დეტალური აღწერა:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - JFET ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR electronic components. MBR20035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : MBR20035CTR

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Anode

დიოდის ტიპი : Schottky

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 35V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 200A (DC)

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 650mV @ 100A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5mA @ 20V

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : Twin Tower

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Twin Tower

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.