ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320D-25DBLA1-TR

KEY Part #: K937419

IS46DR16320D-25DBLA1-TR ფასები (აშშ დოლარი) [16862ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.25119
  • 2,500 pcs$3.23501

Ნაწილი ნომერი:
IS46DR16320D-25DBLA1-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: IC ჩიპები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, საათი / დრო - რეალურ დროში საათები and ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA1-TR electronic components. IS46DR16320D-25DBLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320D-25DBLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320D-25DBLA1-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS46DR16320D-25DBLA1-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 400ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-TWBGA (8x12.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • 71321SA55JG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor