Rohm Semiconductor - RFN1L6STE25

KEY Part #: K6457994

RFN1L6STE25 ფასები (აშშ დოლარი) [790810ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05014
  • 1,500 pcs$0.04989

Ნაწილი ნომერი:
RFN1L6STE25
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 600V 0.8A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RFN1L6STE25 electronic components. RFN1L6STE25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN1L6STE25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN1L6STE25 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RFN1L6STE25
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 800mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.45V @ 800mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PMDS
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt

  • GL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified