Vishay Semiconductor Diodes Division - RS2KHE3_A/I

KEY Part #: K6427557

RS2KHE3_A/I ფასები (აშშ დოლარი) [525400ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07040
  • 3,200 pcs$0.06437

Ნაწილი ნომერი:
RS2KHE3_A/I
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.5A, 800V, 500nS SMB, FS, GPP SM RECT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS2KHE3_A/I electronic components. RS2KHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS2KHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS2KHE3_A/I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RS2KHE3_A/I
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1.5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 500ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AA (SMB)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GP2D003A060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2.

  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified