EPC - EPC2105ENGRT

KEY Part #: K6522121

EPC2105ENGRT ფასები (აშშ დოლარი) [19276ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.36363
  • 500 pcs$2.35187

Ნაწილი ნომერი:
EPC2105ENGRT
მწარმოებელი:
EPC
Დეტალური აღწერა:
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in EPC EPC2105ENGRT electronic components. EPC2105ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2105ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2105ENGRT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EPC2105ENGRT
მწარმოებელი : EPC
აღწერა : GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
სერიები : eGaN®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET თვისება : GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 300pF @ 40V
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Die
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ