Infineon Technologies - IPD50N06S4L12ATMA1

KEY Part #: K6401811

[2920ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPD50N06S4L12ATMA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA1 electronic components. IPD50N06S4L12ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N06S4L12ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD50N06S4L12ATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPD50N06S4L12ATMA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 20µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±16V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2890pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 50W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3-11
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVN4310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

    • VN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

    • TN5325N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • IRFI1010NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

    • SI1471DH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.