Vishay Siliconix - SI5515DC-T1-E3

KEY Part #: K6524410

SI5515DC-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [3841ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.18881

Ნაწილი ნომერი:
SI5515DC-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI5515DC-T1-E3 electronic components. SI5515DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5515DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5515DC-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI5515DC-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : 1.1W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SMD, Flat Lead
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 1206-8 ChipFET™

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ