Toshiba Semiconductor and Storage - CMZ22(TE12L,Q,M)

KEY Part #: K6483529

CMZ22(TE12L,Q,M) ფასები (აშშ დოლარი) [482889ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07660

Ნაწილი ნომერი:
CMZ22(TE12L,Q,M)
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMZ22(TE12L,Q,M) electronic components. CMZ22(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMZ22(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CMZ22(TE12L,Q,M) პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : CMZ22(TE12L,Q,M)
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 22V
ტოლერანტობა : ±10%
ძალა - მაქსიმუმი : 2W
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 30 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 16V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-128
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : M-FLAT (2.4x3.8)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1N4742G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE ZENER 12V 1W DO204AL. Zener Diodes DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% SS Zn Dio

  • 1M180ZHR1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE ZENER 180V 1W DO204AL. Zener Diodes DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% Znr Dio

  • 1N4740G R1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE ZENER 10V 1W DO204AL.

  • 1N4740G B0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE ZENER 10V 1W DO204AL.

  • 1N4742G B0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE ZENER 12V 1W DO204AL.

  • 1N4740G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE ZENER 10V 1W DO204AL.