Powerex Inc. - C358B

KEY Part #: K6458727

C358B ფასები (აშშ დოლარი) [1251ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$34.59677
  • 30 pcs$33.90769

Ნაწილი ნომერი:
C358B
მწარმოებელი:
Powerex Inc.
Დეტალური აღწერა:
THYRISTOR SCR 140A 200V TO-200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Powerex Inc. C358B electronic components. C358B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C358B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C358B პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : C358B
მწარმოებელი : Powerex Inc.
აღწერა : THYRISTOR SCR 140A 200V TO-200AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : -
ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : -
მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : -
ძაბვა - სახელმწიფოზე (ვტმ) (მაქს) : -
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - გამორთული სახელმწიფო (მაქსიმალური) : -
ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : -
SCR ტიპი : Standard Recovery
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode