EGP10K ფასები (აშშ დოლარი) [1111497ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.03328
- 25,000 pcs$0.03245
- Ნაწილი ნომერი:
- EGP10K
- მწარმოებელი:
- ON Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers 1A Rectifier UF Recovery
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in ON Semiconductor EGP10K electronic components. EGP10K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGP10K პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
EGP10K
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-41
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
-
CSD01060E-TR
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V
-
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
-
BAS21E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A
-
BAT64E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
-
MMBD1201
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置