Vishay Siliconix - SQJ940EP-T1_GE3

KEY Part #: K6524843

SQJ940EP-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [148039ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.24985
  • 3,000 pcs$0.21117

Ნაწილი ნომერი:
SQJ940EP-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ940EP-T1_GE3 electronic components. SQJ940EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ940EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ940EP-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQJ940EP-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 896pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 48W, 43W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ