GeneSiC Semiconductor - GBL005

KEY Part #: K6540437

GBL005 ფასები (აშშ დოლარი) [91686ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.57698
  • 10 pcs$0.51050
  • 25 pcs$0.46108
  • 100 pcs$0.40351
  • 250 pcs$0.33494
  • 500 pcs$0.29600
  • 1,000 pcs$0.23368
  • 2,500 pcs$0.21810
  • 5,000 pcs$0.20720

Ნაწილი ნომერი:
GBL005
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL. Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GBL005 electronic components. GBL005 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBL005, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBL005 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBL005
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 50V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBL
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBL
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS6KL60 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif