Vishay Siliconix - SIDR610DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418013

SIDR610DP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [48704ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.80281

Ნაწილი ნომერი:
SIDR610DP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 electronic components. SIDR610DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDR610DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDR610DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIDR610DP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1380pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8DC
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IPA50R199CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3.

  • IRFI7536GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 103A TO220.