Vishay Siliconix - SI9410BDY-T1-E3

KEY Part #: K6403931

[2186ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI9410BDY-T1-E3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI9410BDY-T1-E3 electronic components. SI9410BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI9410BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI9410BDY-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI9410BDY-T1-E3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 8.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.5W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.