Microsemi Corporation - JAN1N4962DUS

KEY Part #: K6479764

JAN1N4962DUS ფასები (აშშ დოლარი) [3277ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$13.21651
  • 100 pcs$11.87693

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4962DUS
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 15V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4962DUS electronic components. JAN1N4962DUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4962DUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4962DUS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4962DUS
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 15V 5W D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/356
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 15V
ტოლერანტობა : ±1%
ძალა - მაქსიმუმი : 5W
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 3.5 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 11.4V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 1A
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : E-MELF
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • GSD2004A-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 240V 225MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA Dual Common Anode