Infineon Technologies - BSP92P E6327

KEY Part #: K6409952

[105ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BSP92P E6327
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies BSP92P E6327 electronic components. BSP92P E6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP92P E6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP92P E6327 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BSP92P E6327
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
    სერიები : SIPMOS®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : P-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 250V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 260mA (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.8V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 260mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 5.4nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 104pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.8W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-SOT223-4
    პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.