ON Semiconductor - BAT54XV2T1G

KEY Part #: K6458166

BAT54XV2T1G ფასები (აშშ დოლარი) [2352739ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01679
  • 3,000 pcs$0.01671
  • 6,000 pcs$0.01453
  • 15,000 pcs$0.01235
  • 30,000 pcs$0.01162
  • 75,000 pcs$0.01090
  • 150,000 pcs$0.00944

Ნაწილი ნომერი:
BAT54XV2T1G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200mW Single
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor BAT54XV2T1G electronic components. BAT54XV2T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT54XV2T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT54XV2T1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAT54XV2T1G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 800mV @ 100mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 5ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 25V
Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-523
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in