Infineon Technologies - IPZA60R037P7XKSA1

KEY Part #: K6397772

IPZA60R037P7XKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [7317ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.63215

Ნაწილი ნომერი:
IPZA60R037P7XKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET TO247-4.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPZA60R037P7XKSA1 electronic components. IPZA60R037P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZA60R037P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZA60R037P7XKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPZA60R037P7XKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET TO247-4
სერიები : CoolMOS™ P7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1.48mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 121nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5243pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 255W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO247-4
პაკეტი / საქმე : TO-247-4

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.