მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V SOT23
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
744pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
490mW (Ta), 4.63W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-236AB
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3