IXYS - IXTU05N120

KEY Part #: K6408749

[519ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IXTU05N120
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS IXTU05N120 electronic components. IXTU05N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTU05N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTU05N120 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IXTU05N120
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 500mA (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
    Vgs (მაქს) : -
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -
    ოპერაციული ტემპერატურა : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-251
    პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ