Central Semiconductor Corp - CBR1F-D100

KEY Part #: K6541284

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Central Semiconductor Corp CBR1F-D100 electronic components. CBR1F-D100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CBR1F-D100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : CBR1F-D100

მწარმოებელი : Central Semiconductor Corp

აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A 4DIP

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Obsolete

დიოდის ტიპი : Single Phase

ტექნოლოგია : Standard

ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 1kV

ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : 4-EDIP (0.300", 7.62mm)

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 4-DIP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

TB8S-G

Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A
GBU8D-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated
KBP08ML-6747E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.
KBP08M-9E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.
KBP08M-6E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.
KBP06ML-6161E4/72

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM.

ცხელი ნაწილები