ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV51216EALL-55BLI-TR

KEY Part #: K938085

IS62WV51216EALL-55BLI-TR ფასები (აშშ დოლარი) [19114ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.39737
  • 2,500 pcs$2.23431

Ნაწილი ნომერი:
IS62WV51216EALL-55BLI-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA. SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - ლატჩები, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, ინტერფეისი - სერიალიზატორი, დესელიზატორები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , მეხსიერება - კონტროლერები, სპეციალიზებული აივ, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ and ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI-TR electronic components. IS62WV51216EALL-55BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS62WV51216EALL-55BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS62WV51216EALL-55BLI-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS62WV51216EALL-55BLI-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Asynchronous
მეხსიერების ზომა : 8Mb (512K x 16)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 55ns
წვდომის დრო : 55ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.65V ~ 2.2V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 48-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 48-VFBGA (6x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G104BHV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.