Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA25TB60SPBF

KEY Part #: K6442414

VS-HFA25TB60SPBF ფასები (აშშ დოლარი) [15432ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.24757
  • 10 pcs$2.01664
  • 25 pcs$1.90664
  • 100 pcs$1.65236
  • 250 pcs$1.56762
  • 500 pcs$1.40662
  • 1,000 pcs$1.18630

Ნაწილი ნომერი:
VS-HFA25TB60SPBF
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA25TB60SPBF electronic components. VS-HFA25TB60SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA25TB60SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA25TB60SPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-HFA25TB60SPBF
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK
სერიები : HEXFRED®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 25A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 25A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 20µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RJU6052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

  • RJU4352SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

  • RJU3052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

  • UD0506T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0306T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

  • STPS20M100SFP

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.