STMicroelectronics - STF18NM60N

KEY Part #: K6418528

STF18NM60N ფასები (აშშ დოლარი) [67515ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.10796
  • 10 pcs$0.99926
  • 100 pcs$0.80300
  • 500 pcs$0.62456
  • 1,000 pcs$0.51749

Ნაწილი ნომერი:
STF18NM60N
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STF18NM60N electronic components. STF18NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STF18NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STF18NM60N პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STF18NM60N
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
სერიები : MDmesh™ II
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 285 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1000pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 30W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220FP
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.