MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G ფასები (აშშ დოლარი) [19942ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.29773
- Ნაწილი ნომერი:
- MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G
- მწარმოებელი:
- Micron Technology Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ. Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR2 2G
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, საათი / დრო - IC ბატარეები, PMIC - ძაბვის მითითება, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი and ლოგიკა - ბუფერები, მძღოლები, მიმღები, გადამცემები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G electronic components. MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G
მწარმოებელი :
Micron Technology Inc.
აღწერა :
IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
FLASH, RAM
ტექნოლოგია :
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
მეხსიერების ზომა :
1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
საათის სიხშირე :
533MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
-
წვდომის დრო :
-
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
1.8V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
-
პაკეტი / საქმე :
-
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
-
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
-
W25M512JVFIQ
Winbond Electronics
IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
-
71V25761S166PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
ცხელი ნაწილები
- CY7C024-25JXCT
- AT27LV520-70XU
- AT49BV320C-70TU
- NAND256W4A0AN6E
- AT49LV040-70TI
- AT45DB011-XC
- AT45D161-JI
- AT28C010-15SC
- VM29LV040B-120JC
- 7005S15J/2917
- 709279L15PFI
- MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
- W25Q256FVBIP
- MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
- S25FL116K0XMFIS11
- IS45S16160D-7BLA1-TR
- MT44K16M36RB-107E:A TR
- M25P32-VMW3TGB TR
- IS42S32400D-7B
- NAND01GW3B2AZA6E
- MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR
- MT42L256M32D4MG-3 IT:A
- CY7C1313TV18-167BZC
- STK14C88-3WF35
- M29W128GSL70ZS6E
- IDT71V432S7PF
- IDT71V2556S133PFI
- 7130SA35PF
- 70V9099L9PF
- IDT6116SA20TPI
- CY7C1512AV18-250BZXIT
- IS42S32200E-6BL
- M27W401-80N6
- M27C4002-15F1
- IS42S16400D-7TL
- S29XS256RABBHI000
- S29GL128P10FFI0202
- S29AL016J70TFA023
- S25FL164K0XMFA013
- MX25L8008EZUI-12G
选择你的位置