ON Semiconductor - RGP10M

KEY Part #: K6426816

RGP10M ფასები (აშშ დოლარი) [1850076ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02532
  • 5,000 pcs$0.02519
  • 10,000 pcs$0.02239
  • 25,000 pcs$0.02099
  • 50,000 pcs$0.01866

Ნაწილი ნომერი:
RGP10M
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Rectifiers 1000V 1a Rectifier Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor RGP10M electronic components. RGP10M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP10M პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RGP10M
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 500ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-41
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NRVTSAF260ET3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 2A TRENCH RECTIFIER I

  • MUR220RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL. Rectifiers 200V 2A UltraFast

  • S2J-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB. Rectifiers 600V 2A

  • RS2KA-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA. Rectifiers 2.0A 800V

  • RS2BA-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMA. Rectifiers 2.0A 100V

  • HS1F R3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC. Rectifiers 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER