Microsemi Corporation - JAN1N6631US

KEY Part #: K6449550

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6631US electronic components. JAN1N6631US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6631US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JAN1N6631US

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1100V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.4A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 1.4A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 60ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 4µA @ 1100V

Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : E-MELF

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

C4D08120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A
BAT 64 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
BAS 70 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.
BAT 54 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
BAS 40 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
BAS 16 B5003

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.

ცხელი ნაწილები