STMicroelectronics - VNS1NV04DP-E

KEY Part #: K1213298

VNS1NV04DP-E ფასები (აშშ დოლარი) [163958ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.25083
  • 2,000 pcs$0.23809

Ნაწილი ნომერი:
VNS1NV04DP-E
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC. Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები, სპეციალიზებული აივ, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ and ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics VNS1NV04DP-E electronic components. VNS1NV04DP-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VNS1NV04DP-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VNS1NV04DP-E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VNS1NV04DP-E
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
სერიები : OMNIFET II™, VIPower™
ნაწილის სტატუსი : Active
შეცვლის ტიპი : General Purpose
გამოსავლის რაოდენობა : 2
თანაფარდობა - შეყვანა: გამომავალი : 1:1
გამომავალი კონფიგურაცია : Low Side
გამომავალი ტიპი : N-Channel
ინტერფეისი : On/Off
ძაბვა - დატვირთვა : 36V (Max)
ძაბვა - მიწოდება (Vcc / Vdd) : Not Required
მიმდინარე - გამომავალი (Max) : 1.7A
Rds ჩართვა (ტიპი) : 250 mOhm (Max)
შეყვანის ტიპი : Non-Inverting
მახასიათებლები : -
შეცდომების დაცვა : Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ