Infineon Technologies - IPB180N04S4H0ATMA1

KEY Part #: K6399724

IPB180N04S4H0ATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [60848ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.64259
  • 1,000 pcs$0.58951

Ნაწილი ნომერი:
IPB180N04S4H0ATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB180N04S4H0ATMA1 electronic components. IPB180N04S4H0ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N04S4H0ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB180N04S4H0ATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB180N04S4H0ATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 180µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 17940pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 250W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-7-3
პაკეტი / საქმე : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • R8008ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM.

  • IRFI9Z14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP.

  • IRFIZ24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • IRFIBF20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.

  • AUIRFS8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK.

  • IPB035N08N3GATMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3.