Diodes Incorporated - DMN65D8L-7

KEY Part #: K6421647

DMN65D8L-7 ფასები (აშშ დოლარი) [2729755ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01355
  • 3,000 pcs$0.01221

Ნაწილი ნომერი:
DMN65D8L-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN65D8L-7 electronic components. DMN65D8L-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN65D8L-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN65D8L-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN65D8L-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 310mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 22pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 370mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ