Ნაწილი ნომერი :
IPB80N06S3L-06
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 80µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
196nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
9417pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
136W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO263-3-2
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB