Infineon Technologies - IRFS7762PBF

KEY Part #: K6402729

[2604ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRFS7762PBF
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRFS7762PBF electronic components. IRFS7762PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS7762PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFS7762PBF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRFS7762PBF
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 75V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 85A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 51A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 100µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 130nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4440pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 140W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK (TO-263AB)
    პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

    • GP1M003A080CH

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.

    • GP2M008A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.

    • AUIRFR540Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 100V 35A DPAK.