თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. R9G01812XX

Powerex Inc. - R9G01812XX

KEY Part #: K6429499

R9G01812XX ფასები (აშშ დოლარი) [477ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$97.33320
  • 30 pcs$94.88648
Ნაწილი ნომერი:
R9G01812XX
მწარმოებელი:
Powerex Inc.
Დეტალური აღწერა:
DIODE GP 1.8KV 1200A DO200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Powerex Inc. R9G01812XX electronic components. R9G01812XX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R9G01812XX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R9G01812XX პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : R9G01812XX
მწარმოებელი : Powerex Inc.
აღწერა : DIODE GP 1.8KV 1200A DO200AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1200A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.45V @ 1500A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 150mA @ 1800V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : DO-200AB, B-PUK
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-200AB, B-PUK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SS1FN6-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect

  • SS1FN6HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

  • SB2H100-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM

  • AU2PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,200V,FER, Avalanche SM

  • AR4PK-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,800V,Fast RecoveryAvalanche SM

  • VS-6ESH01-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V

ცხელი ნაწილები