Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-30EPF12PBF

KEY Part #: K6441673

VS-30EPF12PBF ფასები (აშშ დოლარი) [17578ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.46351
  • 10 pcs$2.21143
  • 25 pcs$2.09068
  • 100 pcs$1.81189
  • 250 pcs$1.71898
  • 500 pcs$1.54242
  • 1,000 pcs$1.30084

Ნაწილი ნომერი:
VS-30EPF12PBF
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC. Rectifiers 30A 1.2KV UF TO247
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-30EPF12PBF electronic components. VS-30EPF12PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-30EPF12PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-30EPF12PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-30EPF12PBF
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 30A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.41V @ 30A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 160ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-247-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AC Modified
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VSB20L45-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.