NSB8ATHE3_A/I ფასები (აშშ დოლარი) [104538ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.37403
- 800 pcs$0.33139
- Ნაწილი ნომერი:
- NSB8ATHE3_A/I
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8ATHE3_A/I electronic components. NSB8ATHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8ATHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8ATHE3_A/I პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
NSB8ATHE3_A/I
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 8A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
APT15D100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS
-
BYV29-600PQ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB. Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
-
S07J-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
-
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
-
S1FLM-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers 1.1V 10uA 1.8us
-
S1FLG-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 400V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
ცხელი ნაწილები
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置