Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA16TB120STRLP

KEY Part #: K6444509

VS-HFA16TB120STRLP ფასები (აშშ დოლარი) [2425ცალი საფონდო]

  • 800 pcs$3.47029

Ნაწილი ნომერი:
VS-HFA16TB120STRLP
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA16TB120STRLP electronic components. VS-HFA16TB120STRLP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA16TB120STRLP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA16TB120STRLP პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-HFA16TB120STRLP
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
სერიები : HEXFRED®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 16A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3V @ 16A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 135ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 20µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ