GeneSiC Semiconductor - MURT20005

KEY Part #: K6468505

Დეტალური აღწერა:: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - გასწორება - მასივები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT20005 electronic components. MURT20005 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT20005, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : MURT20005

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Cathode

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 200A (DC)

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 100A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25µA @ 50V

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : Three Tower

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Three Tower

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.

ცხელი ნაწილები