Vishay Semiconductor Diodes Division - BZD27C13P-M-18

KEY Part #: K6480524

BZD27C13P-M-18 ფასები (აშშ დოლარი) [954299ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03876
  • 50,000 pcs$0.03544

Ნაწილი ნომერი:
BZD27C13P-M-18
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZD27C13P-M-18 electronic components. BZD27C13P-M-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZD27C13P-M-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD27C13P-M-18 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BZD27C13P-M-18
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M
სერიები : Automotive, AEC-Q101, BZD27C
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 13V
ტოლერანტობა : -
ძალა - მაქსიმუმი : 800mW
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 10 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 10V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-219AB (SMF)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ