Sanken - SJPB-L4VL

KEY Part #: K6445408

SJPB-L4VL ფასები (აშშ დოლარი) [389672ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10016
  • 1,800 pcs$0.09967
  • 3,600 pcs$0.09032
  • 5,400 pcs$0.08410
  • 12,600 pcs$0.08305

Ნაწილი ნომერი:
SJPB-L4VL
მწარმოებელი:
Sanken
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Sanken SJPB-L4VL electronic components. SJPB-L4VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SJPB-L4VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SJPB-L4VL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SJPB-L4VL
მწარმოებელი : Sanken
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 40V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 550mV @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 300µA @ 40V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 2-SMD, J-Lead
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SJP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.