Ampleon USA Inc. - BLP8G20S-80PY

KEY Part #: K6465783

BLP8G20S-80PY ფასები (აშშ დოლარი) [2168ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$23.48584
  • 100 pcs$23.36899

Ნაწილი ნომერი:
BLP8G20S-80PY
მწარმოებელი:
Ampleon USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLP8G20S-80PY electronic components. BLP8G20S-80PY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLP8G20S-80PY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLP8G20S-80PY პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BLP8G20S-80PY
მწარმოებელი : Ampleon USA Inc.
აღწერა : RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS (Dual), Common Source
სიხშირე : 1.88GHz ~ 1.92GHz
მოიპოვე : 17.5dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 300mA
Ძალის გამოსავალი : 10W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : SOT-1223-1
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 4-HSOPF
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.