Ნაწილი ნომერი :
TC4422ESM
მწარმოებელი :
Microchip Technology
აღწერა :
IC MOSFET DVR 9A HS N-INV 8-SOIJ
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Low-Side
კარიბჭის ტიპი :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
4.5V ~ 18V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
0.8V, 2.4V
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
9A, 9A
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
-
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
60ns, 60ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOIJ