S29GL512S10DHSS60 ფასები (აშშ დოლარი) [16028ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.85887
- Ნაწილი ნომერი:
- S29GL512S10DHSS60
- მწარმოებელი:
- Cypress Semiconductor Corp
- Დეტალური აღწერა:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ and საათი / დრო - რეალურ დროში საათები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10DHSS60 electronic components. S29GL512S10DHSS60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512S10DHSS60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL512S10DHSS60 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S29GL512S10DHSS60
მწარმოებელი :
Cypress Semiconductor Corp
აღწერა :
IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
სერიები :
GL-S
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
FLASH
ტექნოლოგია :
FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა :
512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
60ns
წვდომის დრო :
100ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
0°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
64-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
64-FBGA (9x9)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
ცხელი ნაწილები
- CY7C09289V-9AXIT
- AT27BV040-12JU
- MT46V32M16TG-75E:C TR
- MT46V32M16TG-6T:F TR
- AT93C46-10PU-1.8
- MT46V8M16TG-6T:D TR
- AT49BV001NT-12JC
- AT28C64X-25JI
- NM27C010N150
- 93LC56CT-I/SN15KVAO
- W25Q128BVEJP
- AS4C128M32MD2-18BIN
- MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
- MT53D4DANY-DC TR
- EDY4016AABG-DR-F-R TR
- S34MS01G200TFA000
- IS66WV51216DBLL-70BLI-TR
- MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR
- MT46H128M32L2MC-5 WT:B
- MTFC16GJVEC-IT TR
- DS1245YL-70
- MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
- M29W128GL70N6F TR
- S29GL256N11FFVR22
- CY7C1472BV33-200BZCT
- IDT71T75902S75PF8
- IDT71T75902S75BGGI
- 71342SA45J
- 71342LA25PF8
- 70V9079S7PF
- 70V07S35PF8
- 70T3599S133DR
- 7006S25J8
- IS42S32800D-7TL-TR
- M58WR064ET70ZB6T
- CY7C0832V-133AXI
- AT24C16BN-SH-T
- S29GL256P10FFIS12
- CY62148DV30LL-55SXIT
- S25FS064SAGMFI011
选择你的位置