ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA1

KEY Part #: K934923

IS46R16320E-6BLA1 ფასები (აშშ დოლარი) [13531ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.38652

Ნაწილი ნომერი:
IS46R16320E-6BLA1
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები, ხაზოვანი - ანალოგური მულტიპლიკატორები, გამყოფი, საათი / დრო - IC ბატარეები, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, მეხსიერება - კონტროლერები and ინტერფეისი - I / O Expanders ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA1 electronic components. IS46R16320E-6BLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16320E-6BLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-6BLA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS46R16320E-6BLA1
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (13x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • W25Q128FVEJQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH MEMORY 128MB.

  • M27W402-100B6

    STMicroelectronics

    IC EPROM 4K PARALLEL 40DIP.

  • IS61LV12824-10TQI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP. SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v

  • IS61LV12824-10TQ-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP. SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v

  • M27V322-100B1

    STMicroelectronics

    IC EPROM 32M PARALLEL 42DIP.

  • M27V160-100XB1

    STMicroelectronics

    IC EPROM 16M PARALLEL 42DIP.