IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3557S80PFGI8

KEY Part #: K938131

71V3557S80PFGI8 ფასები (აშშ დოლარი) [19303ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.38570
  • 1,000 pcs$2.37383

Ნაწილი ნომერი:
71V3557S80PFGI8
მწარმოებელი:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, PMIC - ხელმძღვანელები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, მეხსიერება - ბატარეები, ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა and ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S80PFGI8 electronic components. 71V3557S80PFGI8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V3557S80PFGI8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V3557S80PFGI8 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 71V3557S80PFGI8
მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა : IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous ZBT
მეხსიერების ზომა : 4.5Mb (128K x 36)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 8ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 100-LQFP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 100-TQFP (14x14)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)