Ნაწილი ნომერი :
IPA126N10N3GXKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
ნაწილის სტატუსი :
Not For New Designs
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 45µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
35nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2500pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
33W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO220-FP
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack