Ნაწილი ნომერი :
FQI8N60CTU
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
36nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1255pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.13W (Ta), 147W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I2PAK (TO-262)
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA