ON Semiconductor - FQI8N60CTU

KEY Part #: K6419068

FQI8N60CTU ფასები (აშშ დოლარი) [89832ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.43527
  • 1,000 pcs$0.32437

Ნაწილი ნომერი:
FQI8N60CTU
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FQI8N60CTU electronic components. FQI8N60CTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI8N60CTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQI8N60CTU პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FQI8N60CTU
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
სერიები : QFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1255pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.13W (Ta), 147W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : I2PAK (TO-262)
პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ