Infineon Technologies - IPT007N06NATMA1

KEY Part #: K6417225

IPT007N06NATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [26964ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.52843
  • 2,000 pcs$1.40219

Ნაწილი ნომერი:
IPT007N06NATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPT007N06NATMA1 electronic components. IPT007N06NATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPT007N06NATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPT007N06NATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPT007N06NATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.75 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 280µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 287nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 16000pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 375W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-HSOF-8-1
პაკეტი / საქმე : 8-PowerSFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.