ON Semiconductor - NSBA123JDXV6T5G

KEY Part #: K6528824

NSBA123JDXV6T5G ფასები (აშშ დოლარი) [1344664ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02751
  • 16,000 pcs$0.02445

Ნაწილი ნომერი:
NSBA123JDXV6T5G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NSBA123JDXV6T5G electronic components. NSBA123JDXV6T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSBA123JDXV6T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSBA123JDXV6T5G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NSBA123JDXV6T5G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 100mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 50V
რეზისტორული ბაზა (R1) : 2.2 kOhms
რეზისტორული - ემიტერის ბაზა (R2) : 47 kOhms
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 500nA
სიხშირე - გადასვლა : -
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-563

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ